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美光提供基于UFS的多芯片封装方式

www.pednoy.com2019-10-18

最近,美光宣布将开始使用1z纳米技术生产DRAM颗粒。在同一天,他们还宣布已大批量生产大容量LPDDR4X存储颗粒,并提供将NAND和DRAM颗粒封装在一起的芯片。

DRAM制造行业的过程更新比计算芯片的过程更新慢。镁的1z纳米技术是他们在10nm节点处的第三代工艺。在6月的美光第三季度收益报告准备工作中,它们已被写入1z纳米技术,作为下一财年的重要问题。同时,他们实际上比内部时间表更早进入了1z纳米工艺时间。

对于DRAM,更新的过程可以使存储芯片更大,更省电。使用1z纳米技术的首批产品将是美光的新型16Gb容量DDR4和LPDDR4X内存颗粒,尤其是后者。随着移动终端内存容量的增加和带宽需求的增加,容量越大,速度越快。高功率效率的内存颗粒是移动制造商的最爱。美光的大容量LPDDR4X颗粒正好赶上英特尔IceLake处理器的正式发布,新处理器的频率增加了3733MHz。 LPDDR4X内存支持,在高端轻薄笔记本市场,美光的新颗粒也有很大的市场。

对于大容量DDR4颗粒,它们的用途主要是在大容量存储模块的制造中。当前,单个32GB产品尚未成为台式机的主流,但是对于工作站和服务器,仅需要这种大容量的存储棒。

在提供8x16Gb(16GB)和最高频率可以达到4266MT/s的同时,美光还提供了基于UFS的多芯片封装uMCP4,该封装将NAND和DRAM集成在一个封装中。该封装目前提供64GB + 3GB和256GB + 8GB配置,可以减少存储芯片的占用空间。

据日前报道,美光将在中科园区投资4000亿元新台币(约合900亿元人民币),建设两个A4和A5晶圆厂。预计今年第四季度将生产最先进的1Znm工艺DRAM存储器。该芯片的计划产能为每月最多60,000个晶圆。

当当前的内存价格连续三个季度下跌且市场供需面临不确定性时,美光科技此时增加了对扩大内存容量的投资。业界认为这是内存价格进一步下降的开始。

但是,美光回应说,A3工厂预计将于明年第四季度竣工,主要是为了扩大洁净室。 A5工厂仍在寻找位置,没有具体计划,因此无法透露投资金额。

美光强调,当前的全球产能布局原则仅是为了增强工艺技术,重点是提高存储产品的产能,而不会增加晶圆数量。换句话说,美光增加其内存投资只是为了升级其产品。具有提高自身产品竞争力的能力,但晶圆产能不会增加,由于这些投资,市场的供需状况不会改变。

在扩大存储容量之前,美光还于几天前扩大了其在新加坡的Fab 10A闪存工厂,并新建了生产设施(如无尘室),这增加了Fab 10晶圆厂的生产灵活性,但美光还强调它无意增加NAND的产量。通过资本支出调整和技术转换,Fab 10工厂的总生产能力将保持不变。

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